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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1E, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 22 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ167_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type |
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| 2SJ168 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ168(T5L,PP,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ168(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ168(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-59 |
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| 2SJ168(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, S |
|
| 2SJ168_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type |
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| 2SJ168TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
|
| 2SJ168W | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ169 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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