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2SJ168(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-20 15:30:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	312K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, SC-59, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SJ168(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.15	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	22 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ168(TE85L,F) 数据手册

2SJ168

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

2SJ168

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Analog Switch Applications

Interface Applications

•

Excellent switching time: t = 14 ns (typ.)

High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min)

@I = −50 mA

•

Low on resistance: R

= 1.3 Ω (typ.) @ I = −50 mA

DS (ON) D

Enhancement-mode

Complementary to 2SK1062

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−60

±20

DSS

Gate-source voltage

GSS

JEDEC

JEITA

―

−200

−800

200

Drain current

Pulse

SC-59

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

°C

stg

TOSHIBA

2-3F1F

150

Weight: 0.012 g (typ.)

Storage temperature range

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

Marking

2007-11-01

12 3 4 5

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2SJ168(TE85L,F) 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SJ168	TOSHIBA	类似代替	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS)

与2SJ168(TE85L,F)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ168_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type
2SJ168TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose
2SJ168W	TOSHIBA	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ169	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ170	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ171	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 9.7A I(D) \| TO-220AB
2SJ172	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET
2SJ172-E	RENESAS	获取价格	10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SJ173	HITACHI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
2SJ173	NJSEMI	获取价格	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING

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