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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ173 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ173 | NJSEMI |
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SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ174 | HITACHI |
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SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ175 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ176 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ177 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ178 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ178-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ179 | RENESAS |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents |
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| 2SJ179 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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