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2SJ168W

更新时间： 2024-01-20 05:54:21

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东芝 - TOSHIBA		开关
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4页	410K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SJ168W 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.34
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	22 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ168W 数据手册

2SJ168W

N-Channel Silicon MOSFET

Ultrahigh-Speed Switching Applications

Features

Package Dimensions

unit : mm

•

Low ON-state resistance.

^•Ultrahigh-speed switching.

2167A

•

1.8V drive.

2SJ168W

0.3

0.15

N-Channel Silicon MOSFET

0.65

2.0

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

SOT-323

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

±10

DSS

GSS

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

PW≤10µs, duty cycle≤1%

Mounted on a ceramic board (900mm²✕0.8mm)

°C

Tch

150

Tstg

--55 to +150

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Zero-Gate Voltage Drain Current

Gate-to-Source Leakage Current

Cutoff Voltage

=1mA, V =0

µA

(BR)DSS

D GS

=20V, V =0

±10

1.3

DSS

=±8V, V =0

GSS

(off)

=10V, I =1mA

0.4

3.9

Forward Transfer Admittance

yfs

=10V, I =1.5A

5.6

(on)1

=1.5A, V =4V

mΩ

Static Drain-to-Source On-State Resistance

(on)2

(on)3

=1A, V =2.5V

=0.5A, V =1.8V

110

Marking : KF

Continued on next page.

2007-11-01

12 3 4

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与2SJ168W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ169	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ170	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ171	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 9.7A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ172	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ172-E	RENESAS	10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
2SJ173	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格