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2SJ170

更新时间： 2024-01-14 12:16:52

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB

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2SJ170 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SJ170 数据手册

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与2SJ170相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ171	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 9.7A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ172	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ172-E	RENESAS	10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	获取价格
2SJ173	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ173	NJSEMI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ174	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	获取价格

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