Datasheet > 2SJ168(T5L,PP,F)

2SJ168(T5L,PP,F)

更新时间： 2024-11-07 20:42:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	317K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ168(T5L,PP,F) 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	22 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ168(T5L,PP,F) 数据手册

2SJ168

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

2SJ168

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Analog Switch Applications

Interface Applications

•

Excellent switching time: t = 14 ns (typ.)

High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min)

@I = −50 mA

•

Low on resistance: R

= 1.3 Ω (typ.) @ I = −50 mA

DS (ON) D

Enhancement-mode

Complementary to 2SK1062

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

−60

±20

DSS

Gate-source voltage

GSS

JEDEC

JEITA

―

−200

Drain current

Pulse

−800

SC-59

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

200

°C

stg

TOSHIBA

2-3F1F

150

Weight: 0.012 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note: This transistor is the electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

Marking

Start of commercial production

1988-06

2014-03-01

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SJ168(T5L,PP,F)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ168(T5LMAA,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ168(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-59
2SJ168(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, S
2SJ168_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type
2SJ168TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose
2SJ168W	TOSHIBA	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ169	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ170	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-220AB
2SJ171	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 9.7A I(D) \| TO-220AB
2SJ172	HITACHI	获取价格	Silicon P-Channel MOS FET

与2SJ168(T5L,PP,F)相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ168(T5L,PP,F)

2SJ168(T5L,PP,F) 技术参数

2SJ168(T5L,PP,F) 数据手册

与2SJ168(T5L,PP,F)相关器件

与2SJ168(T5L,PP,F)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ168(T5L,PP,F)

2SJ168(T5L,PP,F) 技术参数

2SJ168(T5L,PP,F) 数据手册

与2SJ168(T5L,PP,F)相关器件

与2SJ168(T5L,PP,F)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？