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2SD2605

更新时间： 2024-01-20 21:52:37

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2SD2605 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2605 数据手册

Power Transistors

2SD2605

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

Features

High collector to emitter V_CEO

■

5.0±0.1

●

10.0±0.2

1.0

●

Allowing supply with the radial taping

90°

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.2±0.1

C1.0

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

2.25±0.2

0.65±0.1

1.05±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

200

0.35±0.1

150

0.55±0.1

C1.0

2 3

I_C

Collector power T_C=25°C

P_C

2.5±0.2

dissipation

Ta=25°C

2.0

1:Base

2:Collector

3:Emitter

MT4 Type Package

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 200V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4V, I_C= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 50µA, I_E= 0

200

150

I_C= 5mA, I_B= 0

I_E= 500µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= 10V, I_C= 150mA

V_CE= 10V, I_C= 400mA

I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

240

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Transition frequency

f_T

MHz

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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