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2SD2611F

更新时间： 2024-11-20 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SD2611F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220FN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

2SD2611F 数据手册

  
2SD2611  
Transistors  
Power Transistor (80V, 7A)  
2SD2611  
!Features  
CE(sat)  
C
B
1) Low saturation voltage, typically V  
= 0.3V at I / I =4 / 0.4A.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Pc = 30W (Tc = 25°C)  
4) Wide SOA (safe operating area).  
5) Complements the 2SB1672.  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
100  
V
80  
5
V
A(DC)  
A(Pulse)  
W
7
I
C
Collector current  
10  
*
2
30  
Collector power dissipation  
P
C
W(Tc=25°C)  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 ∼ +150  
°C  
Single pulse, Pw=100ms  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2611  
TO-220FN  
DEF  
Package  
hFE  
Code  
−
500  
Basic ordering unit (pieces)  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
100  
80  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
5
−
−
−
10  
10  
1
V
V
I
I
I
C
C
E
=
50µA  
= 1mA  
50µA  
CB = 100V  
EB = 4  
V
=
I
CBO  
−
−
−
−
60  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
I
I
C
/I  
/I  
B
= 4A/0.4A  
= 4A/0.4A  
∗
∗
VBE(sat)  
V
C
B
1.5  
320  
−
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE= 5V , I  
CE = 5V , I  
10V , I  
C
=
=
1A  
−0.5A , f  
0A , f  
∗
Transition frequency  
f
T
E
= 5MHz  
1MHz  
∗
Output capacitance  
Cob  
−
150  
−
CB  
=
E
=
=
Measured using pulse current  
∗
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2614 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SD2615 ROHM

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2SD2616 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SD2618 ETC

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2SD2620 PANASONIC

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2SD2620G PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD2621 PANASONIC

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