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2SD2620G

更新时间： 2024-02-23 05:39:00

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	221K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F3, 3 PIN

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2SD2620G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2620G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SD2620G

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency driver amplification

■ Package

■ Features

•

Code

• High forward current transfer ratio h_FE

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

SSMini3-F3

Marking Symbol: 3B

Pin Name

1: Base

2: Emitter

3: Collector

•

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

100

°C

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

125

T_j

125

Storage temperature

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

100

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 60 V, I_E= 0

V_CE= 60 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1

1.0

µA



I_CEO

h_FE

400

1200

0.20

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

0.05

200

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

Noise voltage

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: June 2007

SJC00409AED

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