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2SD2639

更新时间： 2024-11-29 22:52:47
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三洋 - SANYO 输出应用
页数 文件大小 规格书
4页 33K
描述
140V / 12A, AF 60W Output Applications

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2SD2639 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.43最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SD2639 数据手册

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Ordering number : ENN6960  
2SB1683 : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SD2639 : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
2SB1683 / 2SD2639  
140V / 12A, AF 60W Output Applications  
Features  
Package Dimensions  
• Wide ASO because of on-chip ballast resistance.  
unit : mm  
• Good dependence of f on current and good HF  
2010C  
T
characteristic.  
[2SB1683 / 2SD2639]  
10.2  
4.5  
3.6  
5.1  
1.3  
1.2  
0.8  
0.4  
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
1
2
3
Specifications  
( ) : 2SB1683  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)160  
(--)140  
(--)6  
V
V
V
I
(--)12  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
(--)15  
A
CP  
P
Tc=25°C  
80  
W
°C  
°C  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--40 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=(--)80V, I =0  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
I
V
(--)0.1  
(--)0.1  
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
V
=(--)4V, I =0  
C
EBO  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
62501 TS IM TA-3139, 3140 No.6960-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2639D ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
2SD2639E ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
2SD2641 SANKEN

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 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1685)
2SD2641 ALLEGRO

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641O ALLEGRO

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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 		暂无描述
2SD2641P SANKEN

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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