5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD2642
2SD2642 PDF预览

2SD2642

更新时间： 2024-11-18 06:21:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2642 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FM20, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.8其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：110 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2SD2642 数据手册

  
C
E
Equivalent circuit  
B
Darlington 2 S D2 6 4 2  
(70Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Electrical Characteristics  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■
■
(Ta=25°C)  
Symbol  
Ratings  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
100max  
100max  
110min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
60typ  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
ICBO  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
110  
VCB=110V  
2.8  
V
IEBO  
110  
VEB=5V  
V
.
V(BR)CEO  
5
IC=30mA  
V
±0.2  
ø3.3  
hFE  
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, IB=5mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
6
1
a
b
A
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
±0.15  
1.35  
COB  
55typ  
Tstg  
±0.15  
1.35  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
2.54  
+0.2  
-0.1  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
30  
6
5
10  
–5  
5
–5  
0.8typ  
6.2typ  
1.1typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
4
2
0
6
4
2
0
3
2
IC=5A  
1
IC=3A  
IB=0.1mA  
0
0
2
4
6
0.1  
0.5  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
2.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
4
1
50000  
50000  
125˚C  
T y p  
10000  
5000  
10000  
25˚C  
5000  
–30˚C  
1000  
500  
1000  
500  
0.5  
0.3  
100  
0.01  
100  
0.01  
1
5
10  
50 100  
Time t(ms)  
500 1000  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.1  
0.5  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
30  
80  
60  
Typ  
10  
5
40  
1
0.5  
20  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
161  
1

中文翻译

下载PDF

2SD2642 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSE340STU ONSEMI

功能相似

 NPN外延硅晶体管
KSD362RTU FAIRCHILD

功能相似

 暂无描述
2SD2641 SANKEN

功能相似

 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1685)

与2SD2642相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2642O ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2642P ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2642Y ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2643 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)
2SD2643O SANKEN

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2643P ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2643P SANKEN

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2643Y ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2645 ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN Power Transistor
2SD2645 SANYO

获取价格

 		Color TV Horizontal Deflection Output Applications

与2SD2642相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证