2SD2651TZ-E

更新时间： 2024-01-10 13:24:50

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管高压
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描述
Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

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2SD2651TZ-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	SC-43A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD2651TZ-E 数据手册

2SD2651

Silicon NPN Epitaxial

High Voltage Amplifier

REJ03G0809-0200

(Previous ADE-208-976)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Features

•

High breakdown voltage

_CEO= -300V min

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

750

T_j

150

Storage temperature

T_stg

-55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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