2SD2655

更新时间： 2024-11-18 06:25:03

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
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描述
Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

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2SD2655 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.48	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	280 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2655 数据手册

2SD2655

Silicon NPN Epitaxial Planer

Low Frequency Power Amplifier

REJ03G0810-0200

(Previous ADE-208-1388A)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Features

•

Small size package: MPAK (SC–59A)

Large Maximum current: I_C= 1 A

Low collector to emitter saturation voltage: V_CE(sat)= 0.3 V max.(at I_C/I_B= 0.5 A/0.05 A)

High power dissipation: P_C= 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))

Complementary pair with 2SB1691

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note: Marking is “WM-“.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to Base Voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

ic(peak)

P_C

800*

°C

150

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

Note:

*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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