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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2659
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2SD2659

更新时间： 2024-11-17 21:55:19
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松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
For Power Switching

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2SD2659 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220D-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：500JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

2SD2659 数据手册

 浏览型号2SD2659的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2659的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD2659  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
4.6 0.2  
For power switching  
9.9 0.3  
2.9 0.2  
φ 3.2 0.1  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV  
guaranteed  
1.4 0.2  
1.6 0.2  
2.6 0.1  
0.8 0.1  
0.55 0.15  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
2.54 0.30  
5.08 0.50  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
80  
1
2
3
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
60  
V
6
V
TO-220D-A1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
3
A
Internal Connection  
Peak collector current  
6
A
TC = 25°C  
20  
W
Collector power  
dissipation  
C
E
2
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = 10 mA, IB = 0  
60  
VCB = 80 V, IE = 0  
VCE = 60 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
100  
100  
100  
1500  
1.2  
µA  
µA  
µA  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCE = 4.0 V, IC = 0.5 A  
500  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 2.0 A, IB = 0.05 A  
fT VCE = 12 V, IC = 0.2 A, f = 10 MHz  
V
50  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: January 2003  
SJD00292AED  
1
123

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