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2SD2674TL

更新时间： 2024-11-03 21:17:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, TSMT3, 3 PIN

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2SD2674TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.73最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

2SD2674TL 数据手册

 浏览型号2SD2674TL的Datasheet PDF文件第2页 
2SD2674  
Transistors  
General purpose amplification (12V, 1.5A)  
2SD2674  
!External dimensions (Units : mm)  
!Application  
Low frequency amplifier  
Each lead has  
0.4  
same dimensions  
0.85  
0.7  
!Features  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
(
3
)
0~0.1  
(1)  
(2)  
0.95 0.95  
1.9  
<
CE(sat)  
V
200mV  
=
0.16  
2.9  
C
B
= 25mA  
at I = 500mA / I  
ROHM : TSMT3  
Abbreviated symbol : ES (1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
!Packaging specifications  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Package  
Taping  
TL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
15  
Type  
Code  
12  
V
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
6
1.5  
V
2SD2674  
I
C
A
Collector current  
∗
I
CP  
3
A
Power dissipation  
P
C
500  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
Tj  
150  
Range of storage temperature Tstg  
−55~+150  
∗Single pulse, P =1ms  
W
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
15  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=15V  
I
−
VEB=6V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
85 200 mV  
I
C
/I  
B
=500mA/25mA  
=2V/200mA  
CE=2V, I =−200mA, f=100MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
∗
h
270  
−
−
680  
−
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
400  
12  
MHz  
pF  
E
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
E
∗ Pulsed  
1/2  
12

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2SD2674TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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