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2SD2679T100

更新时间： 2024-11-03 14:39:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 PIN

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2SD2679T100 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：280 MHz
Base Number Matches：1

2SD2679T100 数据手册

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2SD2679  
Transistors  
2A / 30V Bipolar transistor  
2SD2679  
zApplications! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! !  
zDimensions (Unit : mm)  
Low frequency amplification, driver  
MPT3  
zFeatures  
1) Collector current is high.  
2) Low collector-emitter saturation voltage.  
(VCE(sat) d 350mV at IC= 1.5A, IB= 75mA)  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
zStructure  
Abbreviated symbol : XZ  
NPN epitaxial planar silicon transistor  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ zPackaging specifications  
Package  
MPT3  
Taping  
T100  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Packaging type  
Code  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
30  
6
V
V
V
Part No.  
Basic ordering unit (pieces) 1000  
DC  
I
C
2
2SD2679  
A
Collector current  
∗1  
Pulse  
I
CP  
4
0.5 ∗2  
Power dissipation  
PC  
W
∗3  
2
Junction temperature  
tj  
tstg  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
∗1 Pw=1ms, single pulse.  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land.  
∗3 Mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (Ta=25qC)  
Parameter  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
100  
100  
I
I
I
C
=1mA  
V
C=10μA  
E
=10μA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
V
V
nA  
Emitter cut-off current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
ꢀ
−
180 370 mV  
IC/IB=1.5A/75mA  
h
270  
−
680  
−
V
V
V
CE=2V, I  
C
=200mA  
= −200mA , f=100MHz  
CB=10V , IE=0mA , f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
−
−
280  
20  
−
−
MHz  
pF  
CE=2V, IE  
Collector output capacitance  
Cob  
ꢀꢁPulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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