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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2671TL
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2SD2671TL

更新时间： 2024-02-19 15:36:22
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3 PIN

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2SD2671TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.75最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

2SD2671TL 数据手册

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2SD2671  
Transistors  
Low frequency amplifier  
2SD2671  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
TSMT3  
1.0MAX  
2.9  
0.4  
0.85  
0.7  
(
(
)
)
3
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. 370mV  
At lc=1.5A / lB=75mA  
( )  
2
1
0.95 0.95  
1.9  
0.16  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emiter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
30  
30  
6
2
4
Unit  
V
V
V
A
A∗1  
mW  
W
Collector current  
Power dissipation  
ICP  
500  
PC  
∗2  
1
Junction temperature  
Range of storage temperautre  
∗1 Single pluse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
∗2 Mounted on a 25×25×  
t0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltae  
Collector-emitter breakdown voltae  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
180  
−
280  
20  
−
−
−
100  
100  
370  
680  
−
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
V
C
V
E
=10µA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=1.5A, I  
CE=2V, I  
CE=2V, I  
B
=75mA  
=200mA∗  
=−200mA, f=100MHz∗  
h
V
V
V
C
Transition frequency  
f
T
E
CB=10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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2SD2671TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5916TLR ROHM

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 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3
2SC5916TLQ ROHM

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2SD2672TL ROHM

获取价格

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 		General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2674TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
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 		General purpose amplification (30V, 1A)

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