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2SD2686

更新时间： 2024-09-30 12:23:03
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东芝 - TOSHIBA 电机驱动
页数 文件大小 规格书
5页 182K
描述
Solenoid Drive Applications Motor Drive Applications

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2SD2686 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-62, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.37外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD2686 数据手册

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2SD2686  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)  
2SD2686  
Solenoid Drive Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
•
•
High DC current gain: h = 2000 (min) (V  
= 2 A, I = 1 A)  
FE  
CE C  
Zener diode included between collector and base  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
60±10  
8
DC  
I
1
3
C
Collector current  
Base current  
A
A
Pulse  
I
CP  
I
0.5  
B
DC  
1.0  
Collector power  
dissipation  
P
(Note 1)  
W
C
t = 10 s  
2.5  
JEDEC  
JEITA  
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
SC-62  
2-5K1A  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,  
645 mm2)  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Equivalent Circuit  
Collector  
Emitter  
Base  
5kΩ  
≒
300Ω  
≒
1
2006-11-21  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2686(TE12L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,PAIR,DARLINGTON,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),SC-62
2SD2686G-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SD2686L-AB3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SD2687S ROHM

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2SD2687S_08 ROHM

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2SD2687STP ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2691AQ PANASONIC

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