Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2655WM-TL-H

2SD2655WM-TL-H

更新时间： 2024-11-18 12:53:35

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瑞萨 - RENESAS		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
7页	107K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

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2SD2655WM-TL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	280 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2655WM-TL-H 数据手册

Preliminary Datasheet

2SD2655

R07DS0281EJ0300

(Previous: REJ03G0810-0200)

Rev.3.00

Silicon NPN Epitaxial Planer

Low Frequency Power Amplifier

Mar 28, 2011

Features

•

Small size package: MPAK (SC–59A)

Large Maximum current: I_C= 1 A

Low collector to emitter saturation voltage: V_CE(sat)= 0.3 V max.(at I_C/I_B= 0.5 A/0.05 A)

High power dissipation: P_C= 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))

Complementary pair with 2SB1691

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Note: Marking is “WM-“.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to Base Voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

ic(peak)

P_C

800*

°C

150

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

Note:

*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)

R07DS0281EJ0300 Rev.3.00

Mar 28, 2011

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