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2SD2656T106

更新时间： 2024-10-02 12:52:39

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罗姆 - ROHM		晶体放大器晶体管
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7页	347K
描述
NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

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2SD2656T106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1.72	Samacsys Description：	ROHM 2SD2656T106 NPN Bipolar Transistor, 1 A, 30 V, 3-Pin SC-70
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz

2SD2656T106 数据手册

2SD2656

Datasheet

NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

lOutline

UMT3

Parameter

Value

30V

Collector

V_CEO

I_C

Base

Emitter

2SD2656

SOT-323 (SC-70)

lFeatures

1) A Collecotr current is large.General Purpose.

2) Collector saturation voltage is low.

V_CE(sat)is Max. 350mV

At I_C=500mA, I_B=25mA

3) Complementary PNP Types :

2SB1694

4) Lead Free/RoHS Compliant.

lInner circuit

lApplications

Collector

Driver circuit

Base

Emitter

lPackaging specifications

Package

size

(mm)

Basic

ordering

unit (pcs)

Taping

code

Reel size Tape width

Part No.

2SD2656

Package

UMT3

Marking

(mm)

2021

T106

180

3,000

www.rohm.com

2013.04 - Rev.B

1/6

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