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2SD2656T106

更新时间: 2024-11-18 12:52:39
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罗姆 - ROHM 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 347K
描述
NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors

2SD2656T106 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:1.72Samacsys Description:ROHM 2SD2656T106 NPN Bipolar Transistor, 1 A, 30 V, 3-Pin SC-70
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):270
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):400 MHz

2SD2656T106 数据手册

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2SD2656  
Datasheet  
NPN 1A 30V Low Frequency Amplifier Transistors  
lOutline  
UMT3  
Parameter  
Value  
30V  
1A  
Collector  
VCEO  
IC  
Base  
Emitter  
2SD2656  
SOT-323 (SC-70)  
lFeatures  
1) A Collecotr current is large.General Purpose.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat) is Max. 350mV  
At IC=500mA, IB=25mA  
3) Complementary PNP Types :  
2SB1694  
4) Lead Free/RoHS Compliant.  
lInner circuit  
lApplications  
Collector  
Driver circuit  
Base  
Emitter  
lPackaging specifications  
Package  
size  
(mm)  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Taping  
code  
Reel size Tape width  
Part No.  
2SD2656  
Package  
UMT3  
Marking  
EU  
(mm)  
(mm)  
2021  
T106  
180  
8
3,000  
www.rohm.com  
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2013.04 - Rev.B  
1/6  

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