2SD2654TLV

更新时间： 2024-10-02 13:00:15

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3, SC-75A, 3 PIN

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2SD2654TLV 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-75A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.71
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	820
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2654TLV 数据手册

2SD2707/2SD2654/2SD2351/2SD2226K/2SD2227S

Transistors

General Purpose Transistor (50V, 0.15A)

2SD2707/2SD2654/2SD2351/2SD2226K/2SD2227S

zFeatures

zExternal dimensions (Unit : mm)

1) High DC current gain.

2SD2707

2) High emitter-base voltage. (V^CBO=12V)

3) Low saturation voltage.

(Typ. V^CE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)

1.2

0.2 0.8 0.2

( )

(3)

( )

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

ROHM : EMT3

2SD2654

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

( )

0.15

0.2

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

∗

0.8

1.6

2SD2654, 2SD2707

0.15

0.2

Collector power

dissipation

2SD2351, 2SD2226K

2SD2227S

0.3

0.1Min.

ROHM : EMT3

EIAJ : SC-75A

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

Junction temperature

Storage temperature

∗Single pulse Pw=100ms

150

°C

Tstg

−55 to +150

2SD2351

zPackaging specifications and h^FE

1.25

2.1

Type

2SD2707

VMT3

2SD2654

EMT3

2SD2351

UMT3

2SD2226K 2SD2227S

SMT3

SPT

−

package

hFE

Marking

Code

∗

0.1Min.

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

(1) Emitter

(2) Base

T2L

T106

3000

T146

3000

Basic ordering unit (pleces)

8000

3000

5000

Each lead has same dimensions

(3) Collector

Denotes

hFE

∗

2SD2226K

1.6

2.8

(1) Emitter

(2) Base

0.3Min.

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

(3) Collector

Each lead has same dimensions

2SD2227S

0.45

2.5 0.5

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

( )

(

)

(

)

Taping specifications

Rev.A

1/3

12 3 4

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2SD2654TLV 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD2707T2LV	ROHM	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD2654VWTL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| SOT-416
2SD2655	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SD2655	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SD2655_11	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SD2655WM-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SD2655WM-TL-H	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SD2656	ROHM	获取价格	General purpose amplification (30V, 1A)
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