2SD2651

更新时间： 2024-11-18 07:31:47

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瑞萨 - RENESAS		晶体放大器小信号双极晶体管高压
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描述
Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier

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2SD2651 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92(1), 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD2651 数据手册

2SD2651

Silicon NPN Epitaxial

High Voltage Amplifier

REJ03G0809-0200

(Previous ADE-208-976)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Features

•

High breakdown voltage

_CEO= -300V min

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

750

T_j

150

Storage temperature

T_stg

-55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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