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2SD2643P

更新时间： 2024-09-29 20:54:27
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

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2SD2643P 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.39外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：110 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：6500
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2SD2643P 数据手册

  
C
E
Equivalent circuit  
B
Darlington 2 S D2 6 4 3  
(70Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
(Ta=25°C)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
Symbol  
Ratings  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICBO  
110  
100max  
100max  
110min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
60typ  
V
VCB=110V  
IEBO  
110  
VEB=5V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
5
IC=30mA  
V
±0.2  
ø3.3  
6
1
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, IB=5mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
a
b
V
V
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
1.75  
2.15  
0.8  
Tstg  
COB  
55typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
1.5  
4.4  
Weight : Approx 6.5g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
RL  
VCC  
(V)  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C
E
6
30  
5
10  
–5  
5
–5  
0.8typ  
6.2typ  
1.1typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
4
2
0
3
4
2
0
2
IC=5A  
1
IC=3A  
IB=0.1mA  
0
0
2
4
6
0.1  
0.5  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
2.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
50000  
50000  
125˚C  
T y p  
10000  
5000  
10000  
25˚C  
5000  
–30˚C  
1000  
500  
1000  
1
500  
0.5  
100  
0.01  
100  
0.01  
1
5
10  
50 100  
Time t(ms)  
500 1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.1  
0.5  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
60  
40  
20  
80  
60  
20  
10  
5
Typ  
40  
1
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.05  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
162  
1

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2SD2643Y ALLEGRO

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