5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> 2SD2641O
2SD2641O PDF预览

2SD2641O

更新时间： 2024-11-20 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2641O 数据手册

  
Equivalent circuit  
C
E
B
Darlington 2 S D2 6 4 1  
(70Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1685)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Ratings  
Ratings  
100max  
100max  
110min  
5000min  
2.5max  
3.0max  
60typ  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
110  
ICBO  
VCB=110V  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
110  
IEBO  
VEB=5V  
V
5
V(BR)CEO  
hFE  
IC=30mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
6
1
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, IB=5mA  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
55typ  
Tstg  
COB  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
1.05  
0.65  
1.4  
hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
B
C
E
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Part No.  
30  
6
5
10  
–5  
5
–5  
0.8typ  
6.2typ  
1.1typ  
b. Lot No.  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
4
2
0
3
4
2
0
2
IC=5A  
1
IC=3A  
IB=0.1mA  
0
0
2
4
6
0.1  
0.5  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
2.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
50000  
50000  
125˚C  
T y p  
10000  
5000  
10000  
25˚C  
5000  
–30˚C  
1000  
500  
1000  
1
500  
0.5  
100  
0.01  
100  
0.01  
1
5
10  
50 100  
Time t(ms)  
500 1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.1  
0.5  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
60  
40  
20  
80  
60  
20  
10  
5
Typ  
40  
1
0.5  
20  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.05  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
160  
1

中文翻译

下载PDF

与2SD2641O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2641P SANKEN

获取价格

 		暂无描述
2SD2641P ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641Y SANKEN

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641Y ALLEGRO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2642 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2642 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)
2SD2642O ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2642P ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2642Y ISC

获取价格

 		Transistor
2SD2643 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)

与2SD2641O相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证