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2SD2639E

更新时间： 2024-02-03 18:44:15

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页数	文件大小	规格书
4页	34K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 12A I(C) \| TO-220AB

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2SD2639E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e2	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper/Nickel (Sn/Ag/Cu/Ni)	Base Number Matches：	1

2SD2639E 数据手册

Ordering number : ENN6960

2SB1683 / 2SD2639

2SB1683 : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SD2639 : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

2SB1683 / 2SD2639

140V / 12A, AF 60W Output Applications

Features

Package Dimensions

• Wide ASO because of on-chip ballast resistance.

unit : mm

• Good dependence of f on current and good HF

2010C

characteristic.

[2SB1683 / 2SD2639]

10.2

4.5

3.6

5.1

1.3

1.2

0.8

0.4

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Specifications

( ) : 2SB1683

2.55

SANYO : TO-220

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

CBO

CEO

EBO

(--)160

(--)140

(--)6

(--)12

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

(--)15

Tc=25°C

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

--40 to +150

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

=(--)80V, I =0

Unit

min

max

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

(--)0.1

CBO

=(--)4V, I =0

EBO

Continued on next page.

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

62501 TS IM TA-3139, 3140 No.6960-1/4

12 3 4

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与2SD2639E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2641	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1685)
2SD2641	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641O	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641O	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2641P	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SD2641P	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2641Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2642	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2642	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)

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