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2SD2623R

更新时间： 2024-09-27 19:47:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 237K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN

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2SD2623R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SD2623R 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SD2623  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.10  
+0.1  
0.0  
0.15  
0.
–0.05  
■ Features  
• Low ON resistance Ron  
3
• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing.  
1
) (0.65)  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1.3
2.0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rag  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
˚  
V
12  
V
1 : Base  
2 : Emitter  
0.5  
A
3 : Collector  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
Peak collector current  
CP  
150  
A
Collector power dissipatio
Junction temperatue  
PC  
mW  
°C  
°C  
Tj  
15
Marking Symbol: 2V  
Storage tmperare  
Tstg  
−55 to +150  
■ ElectCharacterisics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
2
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltag(Emter pen)  
llector-emitter vltage (Base open)  
Emiage (ollector open)  
Colurrent (Emitter open)  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 1 mA, I= 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 25 V, IE = 0  
VCE = 2 V, IC = 0.A  
20  
V
12  
V
100  
800  
0.40  
1.2  
nA  
V
1, 2  
Forwaransfer ratio *  
hFE  
200  
1
Collector-eter saturatiovoltage *  
VCE(sat) IC = 0.5 A, IB = 20 mA  
VBE(sat) IC = 0.5 A, IB = 50 mA  
0.14  
1
Base-emitter saturation voltage *  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
200  
10  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
(Common base, input open circuited)  
3
ON resistanse *  
Ron  
1.0  
Ω
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
3: Ron Measuremet circuit  
*
*
1 kΩ  
Rank  
R
S
T
IB = 1 mA  
hFE  
200 to 350  
300 to 500  
400 to 800  
f = 1 kHz  
V = 0.3 V  
VB VV VA  
VB  
VA − VB  
Ron  
=
× 1000 (Ω)  
Publication date: February 2003  
SJC00284BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2623T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD2623X2 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency amplification
2SD2624 SANYO

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 		Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2627 SANYO

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