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2SD2638

更新时间： 2024-11-19 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type

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2SD2638 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.89
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：750 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4.5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

2SD2638 数据手册

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2SD2638  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type  
2SD2638  
Horizontal Deflection Output for Color TV, Digital TV.  
High Speed Switching Applications.  
Unit: mm  
·
·
·
High voltage: V  
= 1700 V  
CBO  
Low saturation voltage: V  
= 5 V (max)  
CE (sat)  
High speed: t = 0.8 µs (max)  
f
Maximum Ratings (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
1700  
750  
5
V
V
V
DC  
Collector current  
Pulse  
I
7
C
A
I
14  
CP  
Base current  
I
3.5  
A
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
W
°C  
°C  
C
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
150  
-55~150  
j
T
stg  
TOSHIBA  
2-16E3A  
Weight: 5.5 g (typ.)  
Equivalent Circuit  
2. Collector  
3. Emitter  
1. Base  
50 W (typ.)  
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= 1700 V, I = 0  
¾
66  
5
¾
¾
1
200  
¾
25  
7.5  
5
mA  
mA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) EBO  
Emitter-base breakdown voltage  
V
I
= 400 mA, I = 0  
¾
E
C
h
FE  
h
FE  
(1)  
(2)  
V
V
= 5 V, I = 1 A  
8
¾
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 5 V, I = 5.5 A  
4.5  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Forward voltage (damper diode)  
Transition frequency  
V
I
I
I
= 5.5 A, I = 1.2 A  
¾
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
F
B
V
= 5.5 A, I = 1.2 A  
1.0  
1.3  
2
1.5  
2
B
V
= 7 A  
V
F
f
V
V
= 10 V, I = 0.1 A  
¾
¾
9
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
125  
7
ob  
E
Storage time  
Switching time  
t
stg  
I
f
= 5.5 A, I  
= 1.1 A,  
CP  
H
B1 (end)  
ms  
= 15.75 kHz  
Fall time  
t
0.4  
0.8  
f
1
2001-11-27  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2639 SANYO

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2SD2641 ALLEGRO

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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