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2SD2623GT

更新时间： 2024-11-18 21:11:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 236K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SD2623GT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SD2623GT 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SD2623  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.10  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
–0.05  
■ Features  
• Low ON resistance Ron  
3
• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment an
automatic insertion through the tape packing.  
(0
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
1.3 0.1  
.0 0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rting  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
1
V
12  
V
1 : Base  
2 : Emitter  
0.5  
A
3 : Collector  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
Peak collector current  
CP  
1
150  
Collector power dissipation  
Junction temperatur
PC  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Marking Symbol: 2V  
Storage temperature  
T
55 to +150  
■ Electricharacteristis Ta = 25°C 3°C  
Paramete
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
25  
Typ  
Max  
Unit  
V
Colleor-base voltag(Emitter opn)  
ollectotage Base open)  
Emitter-ollector open)  
Collector-base ent (Emitter open)  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 1 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 25 V, I= 0  
VCE = 2 V, IC = 0.5 A  
20  
V
12  
V
100  
800  
0.40  
1.2  
nA  
V
1, 2  
Forward current nsfer ratio *  
hFE  
200  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 0.5 A, IB = 20 mA  
VBE(sat) IC = 0.5 A, IB = 50 mA  
0.14  
1
Base-emitter saturation voltage *  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
200  
10  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
(Common base, input open circuited)  
3
ON resistanse *  
Ron  
1.0  
Ω
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
3: Ron Measuremet circuit  
*
*
1 kΩ  
Rank  
R
S
T
IB = 1 mA  
hFE  
200 to 350  
300 to 500  
400 to 800  
f = 1 kHz  
V = 0.3 V  
VB VV VA  
VB  
VA − VB  
Ron  
=
× 1000 (Ω)  
Publication date: February 2003  
SJC00284BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2623R PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD2623T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD2623X2 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency amplification
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