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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2620J
2SD2620J PDF预览

2SD2620J

更新时间： 2024-02-04 12:16:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SD2620J 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.82
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.02 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SD2620J 数据手册

  
Transistors  
2SD2620J  
Silicon NPN epitaxial planer type  
Unit: mm  
For low-frequency amplification  
+0.0ꢀ  
–0.03  
1.60  
+0.03  
–0.01  
0.12  
1.00 0.0ꢀ  
3
I Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High emitter to base voltage VBEO  
• SS-mini type package  
1
2
0.27 0.02  
(0.ꢀ0)(0.ꢀ0)  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
ꢀ°  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Rating  
Unit  
V
100  
100  
V
15  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
EIAJ: SC-81  
SS-Mini Type Package  
50  
20  
mA  
mA  
mW  
°C  
IC  
Marking Symbol: 3B  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
125  
Tj  
125  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.1  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
VCB = 60 V, IE = 0  
ICEO  
VCE = 60 V, IB = 0  
1.0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
hFE  
IC = 10 µA, IE = 0  
100  
100  
15  
IC = 1 mA, IB = 0  
V
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
IC = 10 mA, IB = 1 mA  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
400  
1 200  
0.2  
VCE(sat)  
fT  
0.05  
200  
80  
V
MHz  
mV  
Noise voltage  
NV  
VCE = 10 V, IC = 1 mA, GB = 80 dB  
Rg = 100 kΩ, Function = FLAT  
1
1

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