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2SD2607

更新时间： 2024-01-07 03:34:57
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
For Power amplification (100V, 8A)

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2SD2607 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220FN包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2SD2607 数据手册

  
2SD2607  
Transistors  
Power Transistor (100V, 8A)  
2SD2607  
!External dimensions (Units: mm)  
!Features  
1) Darlington connection for high DC current gain.  
2) Built-in resistor between base and emitter.  
3) Built-in damper diode.  
10.0  
4.5  
2.8  
3.2  
φ
4) Complements the 2SB1668.  
1.2  
1.3  
0.8  
0.75  
2.54  
2.54  
)
2.6  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
(
) (  
)
(
2
3
1
(
)
(1) Base Gate  
(
) ( )  
( )  
2
3
1
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
(
)
)
(2) Collector Drain  
(3) Emitter Source  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
100  
100  
V
(
ROHM : TO-220FN  
V
7
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
8
I
C
Collector current  
Power dissipation  
10  
*
2
30  
P
C
W (Tc = 25°C)  
°C  
Tj  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
°C  
Single pulse, Pw = 10ms  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2607  
TO-220FN  
1k~20k  
-
Package  
hFE  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
500  
!Circuit diagram  
C
B
R1  
R2  
E
B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
R1 5kΩ  
R2 300kΩ  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
100  
100  
-
-
-
-
V
V
I
I
C
C
= 50µA  
= 5mA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
-
-
10  
µA  
mA  
V
V
CB = 100V  
EB = 5V  
Emitter cutoff current  
I
-
-
3
V
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
-
-
1.5  
I
C
/I  
CE/I  
CE = 5V , I  
CB = 10V , I  
B
= 3A/6mA  
= 3V/2A  
= −0.2A , f = 10MHz  
= 0A , f = 1MHz  
1
1
2
*
*
*
h
1000  
-
20000  
-
V
V
V
C
f
T
-
-
40  
50  
-
-
MHz  
pF  
E
Output capacitance  
Cob  
E
1 Measured using pulse current.  
2 Transition frequency of the device.  
*
*
1

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