5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD2605Q
2SD2605Q PDF预览

2SD2605Q

更新时间： 2024-11-18 14:34:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT4, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2605Q 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SD2605Q 数据手册

 浏览型号2SD2605Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2605Q的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD2605  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
Features  
High collector to emitter VCEO  
■
5.0±0.1  
●
0±0.2  
1.0  
●
Allowing supply with the radial taping  
90°  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1.2±0.1  
C1.0  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
2.25±0.2  
0.65±01  
1.05±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
20  
35±0.1  
150  
V
0.55±0.1  
0.55±0.1  
V
3
1.0  
1
2 3  
2
20  
A
Collector power TC=25C  
P
W
2.5±0.2  
2.5±0.2  
dissipation  
Ta=25°C  
2.0  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
MT4 Type Package  
Junction temperature  
Storage temperate  
50  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Eectral Characteristics (
■
ameter  
Smbol  
IO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
Coector cutoff current  
mitter cutoff current  
VCB = 200V, IE = 0  
IEBO  
VEB = 4, IC = 0  
50  
Cllector base votage  
Colr voltge  
Emige  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 50µA, IE = 0  
200  
150  
IC = 5mA, IB = 0  
V
IE = 500µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = 10V, IC = 150mA  
VCE = 10V, IC = 400mA  
VCE = 10V, IC = 400mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
60  
50  
240  
Forward ctransfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
1
1
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Transition frequency  
fT  
20  
MHz  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
60 to 140  
100 to 240  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SD2605Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2606 ETC

获取价格
2SD2607 ROHM

获取价格

 		For Power amplification (100V, 8A)
2SD261 ETC

获取价格

 		LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SD2611 ROHM

获取价格

 		Power Transistor
2SD2611D ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2611F ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2614 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SD2615 ROHM

获取价格

 		For Motor / Relay drive (120V, 6A)
2SD2616 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN
2SD2616E ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220FN

与2SD2605Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证