2SC6026MFV

更新时间： 2024-09-16 03:56:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器 PC
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4页	255K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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2SC6026MFV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.41	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2SC6026MFV 数据手册

2SC6026MFV

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SC6026MFV

General-Purpose Amplifier Applications

Unit: mm

•

High voltage and high current

: V_CEO= 50 V, I_C= 150 mA (max)

Excellent h linearity :

1.2 ± 0.05

0.80 ± 0.05

(I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.)

h = 120~400

: FE

•

High h

Complementary to 2SA2154MFV

Lead (Pb) - free

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

VESM

150

°C

Base current

JEDEC

JEITA

―

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

150*

150

TOSHIBA

2-1L1A

−55~150

stg

Weight: 0.0015 g (typ.)

* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mm)

Mount Pad Dimensions (Reference)

0.5

0.45

1.15

0.4

0.45

0.4

Unit: mm

2005-06-28

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