5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC6037G
2SC6037G PDF预览

2SC6037G

更新时间： 2024-11-06 14:46:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 426K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC6037G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：12 V最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SC6037G 数据手册

 浏览型号2SC6037G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC6037G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC6037G的Datasheet PDF文件第4页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SC6037G  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For general amplification  
Complementary to 2SA2161G  
Features  
Package  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automat
insertion through the tape packing  
ꢀCode  
SSMini3-F3  
ꢀMarking Symbol: 4U  
ꢀPin Name  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rati
Unit  
V
3: Collector  
1
V
V
500  
mA  
A
Peak collector current  
ICP  
1
125  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
mW  
°C  
°C  
Tj  
125  
Storage temperature  
T
stg  
–5to +125  
Electrical Chaistics Ta = 5°C±3°C  
Prameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
15  
12  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Colletor-base oltage (Emittr open)  
Collector-mitter se open)  
Emitter-base voltaopen)  
Collector-base cutoff c(Emitter ope
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = 10 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 mA, IC = 0  
V
V
ICBO  
hFE  
VCB = 10 V, IE = 0  
0.1  
680  
250  
mA  
VCE = 2 V, IC = 10 mA  
270  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 200 mA, IB = 10 mA  
mV  
MHz  
fT  
VCB = 2 V, IE = –10 mA, f = 200 MHz  
200  
4.5  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: June 2007  
SJC00403AED  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SC6037G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC6040 TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed and High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC
2SC6041 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple-Diffused Mesa Type
2SC6042 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6043 SANYO

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
2SC6044 SANYO

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
2SC6046 ISAHAYA

获取价格

 		GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC6046_10 ISAHAYA

获取价格

 		FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC605 ETC

获取价格

 		NPN SILICON TRANSISTOR
2SC605(B)K NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC605(B)L NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic

与2SC6037G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证