2SC6040

更新时间： 2024-11-06 03:56:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体转换器稳压器开关小信号双极晶体管高压
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5页	189K
描述
High-Speed and High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications

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2SC6040 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	410 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4200 ns	Base Number Matches：	1

2SC6040 数据手册

2SC6040

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

2SC6040

High-Speed and High-Voltage Switching Applications

Unit: mm

Switching Regulator Applications

DC-DC Converter Applications

•

High-speed switching: t = 0.2 µs (max) (I = 0.3 A)

High breakdown voltage: V

= 800 V, V = 410 V

CEO

CES

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

800

410

CBO

CES

CEO

EBO

1. Base

2. Collector

3. Emitter

1.0

2.0

0.5

Collector current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Base current

―

Collector power

dissipation

Ta = 25°C

1.0

TOSHIBA

Weight:

2-7D101A

Junction temperature

150

°C

0.2 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

2004-12-01

12 3 4 5

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