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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 18 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 530 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC605(B)L | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC605(B)M | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC6050 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X |
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| 2SC6052 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SC6052(TE16L1) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 |
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| 2SC6052(TE16L1,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 |
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| 2SC6053 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC6053_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC6053E | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SC6053F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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