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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC6026MFV-Y
2SC6026MFV-Y PDF预览

2SC6026MFV-Y

更新时间： 2024-11-06 12:54:31
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东芝 - TOSHIBA 运算放大器
页数 文件大小 规格书
4页 154K
描述
General-Purpose Amplifier Applications

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2SC6026MFV-Y 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.41
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

2SC6026MFV-Y 数据手册

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2SC6026MFV  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
2SC6026MFV  
General-Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
1.2 ± 0.05  
•
•
High voltage and high current  
: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)  
Excellent h linearity :  
0.80 ± 0.05  
FE  
h
FE  
(I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
C FE C  
•
•
High h  
h
= 120 to 400  
1
FE  
:
FE  
Complementary to 2SA2154MFV  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
60  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
5
V
I
150  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
VESM  
C
Base current  
I
30  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150*  
150  
C
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
j
T
−55 to 150  
stg  
TOSHIBA  
2-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change  
in temperature, etc.) may cause this product to decrease in  
Weight: 1.5 mg (typ.)  
the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)  
Mount Pad Dimensions (Reference)  
0.5  
0.45  
1.15  
0.4  
0.45  
0.4  
0.4  
Unit: mm  
1
2010-05-19  
1234

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与2SC6026MFV-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC6026MFV-Y(L3MAA TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC6026MFV-Y(L3PAV TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC6026MFV-Y(L3SMM TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC6026MFV-Y(TPL3) TOSHIBA

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 		Bipolar Transistors 150mA 50V
2SC6026MFV-Y(TPL3,F) TOSHIBA

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2SC6026MFV-Y,L3F(B TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
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 		Bipolar Transistors 100mA 50V
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