Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3356-T1B-S

2SC3356-T1B-S

更新时间： 2024-11-01 13:04:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
9页	189K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3356-T1B-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3356-T1B-S 数据手册

PreliminaryData Sheet

2SC3356

R09DS0021EJ0300

Rev.3.00

NPN Silicon RF Transistor

Jun 28, 2011

NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold

FEATURES

•

Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ V^CE= 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

<R>

ORDERING INFORMATION

Part Number

2SC3356

Order Number

2SC3356-A

Package

Quantity

Supplying Form

3-pin Minimold 50 pcs (Non reel)

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (Collector) face the perforation side of the tape

(Pb-Free)

2SC3356-T1B

2SC3356-T1B-A

3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

Unit

3.0

100

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

200

150

Tstg

−65 to +150

Note Free air

CAUTION

Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R09DS0021EJ0300 Rev.3.00

Jun 28, 2011

Page 1 of 7

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与2SC3356-T1B-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3356-T1Q-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1R23-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1R24-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1R25	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1R25-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1R-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1S	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1S-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356W	BL Galaxy Electrical	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SC3356W	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

与2SC3356-T1B-S相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3356-T1B-S

2SC3356-T1B-S 技术参数

2SC3356-T1B-S 数据手册

与2SC3356-T1B-S相关器件

与2SC3356-T1B-S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3356-T1B-S

2SC3356-T1B-S 技术参数

2SC3356-T1B-S 数据手册

与2SC3356-T1B-S相关器件

与2SC3356-T1B-S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？