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2SC3356-T1R24-A

更新时间： 2024-11-02 09:34:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC3356-T1R24-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3356-T1R24-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC3356

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

3-PIN MINIMOLD

FEATURES

•

Low noise and high gain : NF = 1.1 dB TYP., G^a= 11 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1 GHz

High power gain : MAG = 13 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1 GHz

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC3356

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (Collector) face the perforation side of the tape

2SC3356-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

3.0

100

°C

tot ^Note

200

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Free air

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10209EJ01V0DS (1st edition)

(Previous No. P10356EJ5V1DS00)

The mark • shows major revised points.

Date Published January 2003 CP(K)

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 1985, 2003

12 3 4 5 6 7 8

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2SC3356-T1R-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1S	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1S-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356W	BL Galaxy Electrical	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SC3356W	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
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