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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.56 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3356-T1R-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-T1S | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-T1S-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC3356W | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC3356W | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| 2SC3356W | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-323 |
|
| 2SC3356-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER |
|
| 2SC3357 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SC3357 | TYSEMI |
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Low Noise and High Gain High power gain : MAG = 10 dB TYP. IC = 40 mA, f = 1 GHz |
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| 2SC3357 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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