2SC3357

更新时间： 2024-02-01 16:00:32

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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8页	79K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

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2SC3357 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3357 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3357

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

POWER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for

low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.

(Unit: mm)

It has large dynamic range and good current characteristic.

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

FEATURES

•

Low Noise and High Gain

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 8.0 dB TYP. @V^CE= 10 V,

I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

NF = 1.8 dB TYP., G^a= 9.0 dB TYP. @V^CE= 10 V,

I^C= 40 mA, f = 1.0 GHz

0.42

0.42±0.06

±0.06

1.5

0.47

±0.06

−0.03

+0.05

3.0

•

Large P^Tin Small Package

P^T: 2 W with 16 cm²× 0.7 mm Ceramic Substrate.

0.41

Term, Connection

E : Emitter

C : Collector (Fin)

B : Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

(SOT-89)

3.0

100

Total Power Dissipation

Thermal Resistance

P^T*

1.2

R^th(j-a)*

T^j

62.5

°C/W

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T^stg

−65 to +150

* mounted on 16 cm²× 0.7 mm Ceramic Substrate

Document No. P10357EJ4V1DS00 (4th edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1985

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