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2SC3357B

更新时间： 2024-11-24 02:51:07

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NPN SILICON RF TRANSISTOR

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2SC3357B 数据手册

2SC3357

NPN SILICON RF TRANSISTOR

Feature

High gain:︱S²¹e︱²TYP. Value is 10dB

@ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz

Low noise: NF

f^T(TYP.) ^:

TYP. Value is 1.7dB

TYP. Value is 6.5GHz

@ VCE=10V，IC=7mA，f=1GHz

@ VCE=10V，IC=20mA，f=1GHz

PIN DEFINITION:

1：（Base） 2：（Collector） 3：（Emitter）

SOT-89

Absolute Maximum Ratings TA=25℃ Unless Otherwise noted

PARAMETER

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector current

SYMBLE

VCBO

VCEO

VEBO

MAXIMUM VALUE

UNIT

100

*Collector Power Dissipation

Junction Temperature

*PD

1.2

150

℃

Storage Temperature

Tstg

-65 ~ +150

*With heat dissipation panel

hFE Classification

Classification

Marking

60~100

90~140

130~180

170~250

250~300

hFE

REV.08

1 of 3

12 3

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2SC3357RE	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243
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