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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3357-T1-A | NEC | 2SC3357-T1-A |
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| 2SC3357-T1RE | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3357-T1RE | RENESAS | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC3357-T1RE-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3357-T1RF | RENESAS | 暂无描述 |
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| 2SC3357-T1RF-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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