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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 6500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3358 | UTC |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC3359 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC3359/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359/PR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC3359P | ROHM |
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300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SC3359Q | ROHM |
获取价格 |
300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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