5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3359S/R
2SC3359S/R PDF预览

2SC3359S/R

更新时间： 2024-02-23 16:54:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC3359S/R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.7
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SC3359S/R 数据手册

 浏览型号2SC3359S/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3359S/R的Datasheet PDF文件第3页 
2SC3359S  
Transistors  
Power Transistor (80V, 0.3A)  
2SC3359S  
zFeatures  
1) High breakdown voltage, BVCEO=80V  
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.2V at IB=0.3A / 0.03A  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
Unit  
V
80  
80  
V
5
0.3  
V
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.3  
W
C
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
80  
80  
5
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector outoff current  
−
−
−
0.5  
0.5  
0.5  
390  
−
V
V
V
A
A
V
−
IC  
=
1mA  
50µA  
50µA  
IC  
=
IE  
VCB  
VEB  
=
−
−
−
120  
50  
−
=
=
80V  
IEBO  
Emitter outoff current  
−
0.2  
4V  
VCE(sat)  
hFE  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
VC/ICB  
=
0.3V/0.03A  
0.1A  
−0.01A , f  
0A , f 1MHz  
−
150  
5
VCE 3V, IC  
=
=
fT  
Transition frequency  
MHz VCE  
pF VCB  
=5V , IE  
=
=
100MHz  
Output capacitance  
Cob  
8
=
10V , IE  
=
=
zPackaging specification and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SC3359S  
SPT  
QR  
Code  
TP  
Basic orderin unit (pieces)  
5000  
Rev.A  
1/2  
123

中文翻译

下载PDF

与2SC3359S/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3359SP ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3359SQ ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3359SR ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3359STP/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359STP/PR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359STP/Q ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN
2SC3359STP/QR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359STP/R ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN
2SC3359STPP ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3359STPQ ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK

与2SC3359S/R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证