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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3359S/Q
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2SC3359S/Q

更新时间： 2024-11-23 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SC3359S/Q 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SC3359S/Q 数据手册

 浏览型号2SC3359S/Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3359S/Q的Datasheet PDF文件第3页 
2SC3359S  
Transistors  
Power Transistor (80V, 0.3A)  
2SC3359S  
zFeatures  
1) High breakdown voltage, BVCEO=80V  
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.2V at IB=0.3A / 0.03A  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
Unit  
V
80  
80  
V
5
0.3  
V
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.3  
W
C
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
80  
80  
5
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector outoff current  
−
−
−
0.5  
0.5  
0.5  
390  
−
V
V
V
A
A
V
−
IC  
=
1mA  
50µA  
50µA  
IC  
=
IE  
VCB  
VEB  
=
−
−
−
120  
50  
−
=
=
80V  
IEBO  
Emitter outoff current  
−
0.2  
4V  
VCE(sat)  
hFE  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
VC/ICB  
=
0.3V/0.03A  
0.1A  
−0.01A , f  
0A , f 1MHz  
−
150  
5
VCE 3V, IC  
=
=
fT  
Transition frequency  
MHz VCE  
pF VCB  
=5V , IE  
=
=
100MHz  
Output capacitance  
Cob  
8
=
10V , IE  
=
=
zPackaging specification and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SC3359S  
SPT  
QR  
Code  
TP  
Basic orderin unit (pieces)  
5000  
Rev.A  
1/2  
123

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与2SC3359S/Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3359S/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359S/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359SP ROHM

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 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3359SQ ROHM

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 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC3359STP/Q ROHM

获取价格

 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN
2SC3359STP/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC3359STP/R ROHM

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 		300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, 3 PIN

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