2SC3359/PQ

更新时间： 2024-01-24 12:33:38

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2SC3359/PQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3359/PQ 数据手册

2SC3359S

Transistors

Power Transistor (80V, 0.3A)

2SC3359S

zFeatures

1) High breakdown voltage, BV_CEO=80V

2) Low saturation voltage, typically V_CE(sat)=0.2V at I_B=0.3A / 0.03A

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

0.3

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.3

150

Tstg

−55 to +150

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

Unit

Conditions

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector outoff current

−

0.5

390

−

I_C

1mA

50µA

I_C

I_E

V_CB

V_EB

−

120

−

80V

I_EBO

Emitter outoff current

−

0.2

V_CE(sat)

h_FE

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

V_C/I_CB

0.3V/0.03A

0.1A

−0.01A , f

0A , f 1MHz

−

150

V_CE3V, I_C

f_T

Transition frequency

MHz V_CE

pF V_CB

=5V , I_E

100MHz

Output capacitance

Cob

10V , I_E

zPackaging specification and h_FE

Type

Package

h_FE

2SC3359S

SPT

Code

Basic orderin unit (pieces)

5000

Rev.A

1/2

12 3

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