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2SC3357-T1RH-A

更新时间： 2024-11-23 14:46:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC3357-T1RH-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3357-T1RH-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC3357

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

3-PIN POWER MINIMOLD

FEATURES

•

Low noise and high gain

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 7.5 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1 GHz

NF = 1.8 dB TYP., G^a= 9.0 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 40 mA, f = 1 GHz

High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ I^C= 40 mA, f = 1 GHz

Large P^tot: P^tot= 1.2 W (Mounted on 16 cm²× 0.7 mm (t) ceramic substrate)

Small package : 3-pin power minimold package

•

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC3357

25 pcs (Non reel)

1 kpcs/reel

• 12 mm wide embossed taping

• Collector face the perforation side of the tape

2SC3357-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

3.0

100

tot ^Note

1.2

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 16 cm²× 0.7 mm (t) ceramic substrate

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10211EJ01V0DS (1st edition)

(Previous No. P10357EJ4V1DS00)

The mark • shows major revised points.

Date Published January 2003 CP(K)

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 1985, 2003

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3357-T2	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SC3358	UTC	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC3359	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-92
2SC3359/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC3359P	ROHM	获取价格	300mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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