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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.55 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3356W | BL Galaxy Electrical |
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Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| 2SC3356W | BL Galaxy Electrical |
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12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| 2SC3356W | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-323 |
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| 2SC3356-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER |
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| 2SC3357 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
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| 2SC3357 | TYSEMI |
获取价格 |
Low Noise and High Gain High power gain : MAG = 10 dB TYP. IC = 40 mA, f = 1 GHz |
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| 2SC3357 | KEXIN |
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NPN Silicon RF Transistor |
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| 2SC3357 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
|
| 2SC3357 | RENESAS |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER |
|
| 2SC3357 | UTC |
获取价格 |
NPN |
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