2SC3357

更新时间： 2024-02-29 10:18:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器
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6页	294K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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2SC3357 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3357 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

2SC3357

DESCRIPTION

·Low Noise and High Gain

NF = 1.1 dB TYP., G_a= 8.0 dB TYP.

@V_CE= 10 V, I_C= 7 mA, f = 1.0 GHz

NF = 1.8 dB TYP., G_a= 9.0 dB TYP.

@V_CE= 10 V, I_C= 40 mA, f = 1.0 GHz

APPLICATIONS

·Designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV

band.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

3.0

Collector Current-Continuous

0.1

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

1.2

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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