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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1.5 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.075 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7000 | TRSYS |
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N-CHANNEL-ENHANCEMENT |
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| 2N7000 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| 2N7000 | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| 2N7000 | SEMIWELL |
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Logic N-Channel MOSFET |
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| 2N7000 | NSC |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| 2N7000 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO- |
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| 2N7000 | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET |
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| 2N7000 | KEC |
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FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2N7000 | CALOGIC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor |
|
| 2N7000 | TYSEMI |
获取价格 |
High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch |
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